Rohm Semiconductor's SiC Trench MOSFETs

SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor

The purpose of this training module is to provide a brief overview of ROHM’s 3rd generation SiC Trench MOSFETs and their advantages.

Part List

KépGyártói cikkszámLeírásDrain-source feszültség (Udss)Available QuantityÁrRészletek megtekintése
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFMSCT2H12NZGC11SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM1700 V0 - Immediate$2,741.68Részletek megtekintése
SICFET N-CH 650V 21A TO247NSCT3120ALGC11SICFET N-CH 650V 21A TO247N650 V282 - Immediate$2,741.68Részletek megtekintése
SICFET N-CH 650V 39A TO247NSCT3060ALGC11SICFET N-CH 650V 39A TO247N650 V90 - Immediate$4,820.36Részletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 22A TO247SCT2160KECSICFET N-CH 1200V 22A TO2471200 V0 - Immediate$2,650.40Részletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 31A TO247NSCT3080KLGC11SICFET N-CH 1200V 31A TO247N1200 V450 - Immediate$7,062.39Részletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCT2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2471200 V0 - Immediate$4,680.24Részletek megtekintése
SICFET N-CH 650V 70A TO247NSCT3030ALGC11SICFET N-CH 650V 70A TO247N650 V880 - Immediate$9,080.22Részletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 55A TO247NSCT3040KLGC11SICFET N-CH 1200V 55A TO247N1200 V387 - Immediate$12,164.61Részletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCH2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2471200 V0 - ImmediateSee Page for PricingRészletek megtekintése
SICFET N-CH 650V 93A TO247NSCT3022ALGC11SICFET N-CH 650V 93A TO247N650 V200 - Immediate$15,281.04Részletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 72A TO247NSCT3030KLGC11SICFET N-CH 1200V 72A TO247N1200 V253 - Immediate$22,084.00Részletek megtekintése
SICFET N-CH 1700V 4A TO268SCT2H12NYTBSICFET N-CH 1700V 4A TO2681700 V0 - ImmediateSee Page for PricingRészletek megtekintése
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT2750NYTBSICFET N-CH 1700V 5.9A TO2681700 V0 - Immediate$1,119.41Részletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 14A TO247SCT2280KECSICFET N-CH 1200V 14A TO2471200 V0 - Immediate$1,685.53Részletek megtekintése
SICFET N-CH 650V 29A TO220ABSCT2120AFCSICFET N-CH 650V 29A TO220AB650 V0 - ImmediateSee Page for PricingRészletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 204A MODULEBSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE1200 V0 - Immediate$211,348.16Részletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 17A TO247NSCT3160KLGC11SICFET N-CH 1200V 17A TO247N1200 V0 - Immediate$2,895.42Részletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 10A TO247SCT2450KECSICFET N-CH 1200V 10A TO2471200 V0 - Immediate$1,333.20Részletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 400A MODULEBSM400C12P3G202SICFET N-CH 1200V 400A MODULE1200 V4 - Immediate$270,683.48Részletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 600A MODULEBSM600C12P3G201SICFET N-CH 1200V 600A MODULE1200 V0 - Immediate$384,348.00Részletek megtekintése
PTM Published on: 2017-01-05
PTM Updated on: 2019-09-27

Related Videos

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Publish Date: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Publish Date: 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Publish Date: 2023-02-06

Related Product Highlight

4th Generation Silicon Carbide SiC MOSFETs ROHM's 4th generation silicon carbide MOSFETs are designed to deliver unparalleled efficiency and performance in demanding applications.
Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.
SiC Schottky Barrier Diodes ROHM’s SiC Schottky barrier diodes are AEC-Q101 qualified for automotive use.

Related Articles and Blogs

A nagy teljesítményű berendezések veszteségeinek csökkentése, hatásfokának javítása és üzemi hőmérséklet-tartományának kiterjesztése A tervezők a 4. generációs SiC MOSFET-eket használhatják egyebek mellett a hatásfok jelentős javítására, a költségek csökkentésére és a nagyfeszültségű, nagy teljesítményű vezérlőáramkörök méretének csökkentésére.
A széles tiltott sávú félvezetők átalakítják a közlekedés világát A hibrid és villanyautókra és a tisztább tömegközlekedésre irányuló megoldásoknak köszönhetően a teljes közlekedési ágazat gyökeres átalakuláson megy keresztül.
Széles tiltott sávú félvezetők a repülésben, az űrhajózásban és a műholdas berendezésekben A széles tiltott sávú (WBG, wide band gap) félvezetőknek számos előnyük van az áramátalakításban, ilyen például a nagyobb teljesítménysűrűség és a jobb hatásfok, valamint a rendszer méretének és tömegének csökkenése.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
SiC Power Module SiC modules are ideally suited to replace higher current rating IGBT modules.