SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | FET-ek, MOSFET-ek

SCT2H12NYTB elavult és már nem gyártják.

Elérhető helyettesítő alkatrészek:

MFR Recommended

Rohm Semiconductor

Raktáron: 607

Egységár : 1 819,78000 Ft

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SCT2H12NYTB
DigiKey raktári szám	SCT2H12NYTBTR-ND - Szalag tekercsen (TR) SCT2H12NYTBCT-ND - Vágott szalag (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Rohm Semiconductor
Gyártói cikkszám	SCT2H12NYTB
Leírás	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 1700 V 4A (Tc) 44W (Ta) Felületszerelt TO-268
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SCT2H12NYTB modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 4V / 410µA
Gyrt. Rohm Semiconductor	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 14 nC @ 18 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) +22V, -6V
Alkatrész státusza Elavult	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 184 pF @ 800 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 44W (Ta)
Technológia SiCFET (szilícium-karbid)	Üzemi hőmérséklet 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 1700 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 4A (Tc)	Gyártói tokozás TO-268
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 18V	Tokozás TO-268-3, D3PAK (2 kivezetés + fül), TO-268AA
Rds On (max.) / Id, Ugs 1,5ohm / 1,1A, 18V	Alap típusszám SCT2H12