Silicon Carbide MOSFET

Silicon Carbide MOSFET

STMicroelectronics

Unlike other SiC transistors like BJTs and JFETs, the SiC MOSFET is very easy to drive, similar to standard MOSFETs. A simple drive circuit reduces the number of components and complexity of the final design as compared to non-MOSFET SiC solutions.

Related Parts

KépGyártói cikkszámLeírásDrain-source feszültség (Udss)Drain áram (Id) 25°C-onAvailable QuantityÁrRészletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247SCT30N120SICFET N-CH 1200V 40A HIP2471200 V40A (Tc)577 - Immediate$7,293.00Részletek megtekintése
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247SCT20N120SICFET N-CH 1200V 20A HIP2471200 V20A (Tc)0 - ImmediateSee Page for PricingRészletek megtekintése
PTM Published on: 2016-05-06

Related Product Highlight

STPOWER SiC MOSFETs STMicroelectronics' silicon-carbide power MOSFETs offer higher levels of efficiency, consistency, and reliability for energy related applications.
Power MOSFETs STMicroelectronics' power MOSFETs are designed for applications which include switch-mode power supplies, lighting, DC-DC converters, motor control, and automotive.

Related Articles and Blogs

A széles tiltott sávú félvezetők átalakítják a közlekedés világát A hibrid és villanyautókra és a tisztább tömegközlekedésre irányuló megoldásoknak köszönhetően a teljes közlekedési ágazat gyökeres átalakuláson megy keresztül.
Széles tiltott sávú félvezetők a repülésben, az űrhajózásban és a műholdas berendezésekben A széles tiltott sávú (WBG, wide band gap) félvezetőknek számos előnyük van az áramátalakításban, ilyen például a nagyobb teljesítménysűrűség és a jobb hatásfok, valamint a rendszer méretének és tömegének csökkenése.
Working with SiC MOSFETS: Challenges and Design Recommendations SiC MOSFETs bring enormous benefits but only if designers are aware of design obstacles such as parasitics, ringing, and conduction and switching losses.

Related Product Training Modules

ST MOSFETs To give users a quick overview of basic MOSFET parameters and fundamentals.