Name: IGC037S12S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC037S12S1XTMA1TR-ND
Price: 2078.8376 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IGC037S12S1XTMA1
DigiKey raktári szám	448-IGC037S12S1XTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IGC037S12S1XTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IGC037S12S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IGC037S12S1XTMA1
Leírás	GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN
Gyártói standard átfutási idő	29 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 120 V 19A (Ta), 71A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Felületszerelt PG-TSON-6-2
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IGC037S12S1XTMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 3,7mOhm / 18A, 5V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs(th) (Max) / Id 2,9V / 7mA
Sorozat CoolGaN™	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 13 nC @ 5 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±6,5V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 1000 pF @ 60 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 3,3W (Ta), 45W (Tc)
Technológia GaNFET (gallium-nitrid)	Üzemi hőmérséklet -40°C ~ 150°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 120 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 19A (Ta), 71A (Tc)	Gyártói tokozás PG-TSON-6-2
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 5V	Tokozás 6-PowerTDFN

Hibás termékinformáció jelentése

Dokumentumok és média

Környezetvédelmi és exportálási információk

További információk

Raktáron: 1 782

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®