Name: IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND
Price: 1340.4088 HUF
Availability: InStock

IGB070S10S1XTMA1
DigiKey raktári szám	448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IGB070S10S1XTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IGB070S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IGB070S10S1XTMA1
Leírás	GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN
Gyártói standard átfutási idő	27 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 13A (Ta), 38A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Ta) Felületszerelt PG-TSON-4-2
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IGB070S10S1XTMA1 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	CoolGaN™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	GaNFET (gallium-nitrid)
Drain-source feszültség (Udss)	100 V
Drain áram (Id) 25°C-on	13A (Ta), 38A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	5V
Rds On (max.) / Id, Ugs	7mohm – 13A, 5V mellett
Ugs(th) (Max) / Id	2,9V – 4,5mA mellett
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	7.9 nC @ 5 V
Ugs (Max)	±6,5V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	740 pF @ 50 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	2,6W (Ta), 23W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-40°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TSON-4-2
Tokozás	4-PowerTDFN

Egységár áfa nélkül:	1 055,44000 Ft
Egységár áfával:	1 340,40880 Ft

IGB070S10S1XTMA1