Name: IGB110S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S101XTMA1TR-ND
Price: 954.405 HUF
Availability: InStock

IGB110S101XTMA1
DigiKey raktári szám	448-IGB110S101XTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IGB110S101XTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IGB110S101XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IGB110S101XTMA1
Leírás	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Gyártói standard átfutási idő	25 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Felületszerelt PG-VSON-4-3
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IGB110S101XTMA1 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	CoolGaN™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	GaNFET (gallium-nitrid)
Drain-source feszültség (Udss)	100 V
Drain áram (Id) 25°C-on	9A (Ta), 23A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	5V
Rds On (max.) / Id, Ugs	11mOhm / 10A, 5V
Ugs(th) (Max) / Id	2,9V / 3mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	4.4 nC @ 5 V
Ugs (Max)	±6,5V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	340 pF @ 50 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	2,5W (Ta), 15W (Tc)
Üzemi hőmérséklet	-40°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-VSON-4-3
Tokozás	4-PowerVDFN

Egységár áfa nélkül:	751,50000 Ft
Egységár áfával:	954,40500 Ft

IGB110S101XTMA1