Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 1097.1911 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IGB110S10S1XTMA1
DigiKey raktári szám	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IGB110S10S1XTMA1
Leírás	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Gyártói standard átfutási idő	25 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Felületszerelt PG-TSON-4-2
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IGB110S10S1XTMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 11mOhm / 10A, 5V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs(th) (Max) / Id 2,9V / 3mA
Sorozat CoolGaN™	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 3.4 nC @ 5 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±6,5V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 340 pF @ 50 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 2,5W (Ta), 15W (Tc)
Technológia GaNFET (gallium-nitrid)	Üzemi hőmérséklet -40°C ~ 150°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 9A (Ta), 23A (Tc)	Gyártói tokozás PG-TSON-4-2
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 5V	Tokozás 4-PowerTDFN

Hibás termékinformáció jelentése

Dokumentumok és média

Környezetvédelmi és exportálási információk

További információk

Raktáron: 4 496

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®