Name: SQJ431AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ431AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 1004.8113 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SQJ431AEP-T1_GE3
DigiKey raktári szám	SQJ431AEP-T1_GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SQJ431AEP-T1_GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SQJ431AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SQJ431AEP-T1_GE3
Leírás	MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Gyártói standard átfutási idő	27 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	P-csatornás 200 V 9,4A (Tc) 68W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® SO-8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SQJ431AEP-T1_GE3 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Vishay Siliconix
Sorozat	TrenchFET®
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	P-csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	200 V
Drain áram (Id) 25°C-on	9,4A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	305mohm / 3,8A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	3,5V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	85 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	3700 pF @ 25 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	68W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	autóipar
Minősítés	AEC-Q101
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PowerPAK® SO-8
Tokozás	PowerPAK® SO-8
Alap típusszám	SQJ431