Name: AIMBG120R010M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND
Price: 12506.4774 HUF
Availability: InStock

N csatornás 1200 V 205A (Tc) 882W (Tc) Felületszerelt PG-TO263-7

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

AIMBG120R010M1XTMA1
DigiKey raktári szám	448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-AIMBG120R010M1XTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	AIMBG120R010M1XTMA1
Leírás	SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 1200 V 205A (Tc) 882W (Tc) Felületszerelt PG-TO263-7
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	AIMBG120R010M1XTMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 178 nC @ 20 V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs (Max) +25V, -10V
Sorozat CoolSiC™	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 5703 pF @ 800 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Teljesítményveszteség (max.) 882W (Tc)
Alkatrész státusza Aktív	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
FET típusa N csatornás	Típusjelölés autóipar
Technológia SiCFET (szilícium-karbid)	Minősítés AEC-Q101
Drain-source feszültség (Udss) 1200 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 205A (Tc)	Gyártói tokozás PG-TO263-7
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 18V, 20V	Tokozás TO-263-8, D2PAK (7 kivezetés + fül), TO-263CA
Rds On (max.) / Id, Ugs 11,3mohm / 93A, 20V	Alap típusszám AIMBG120
Ugs(th) (Max) / Id 5,1V / 30mA