Name: SI5513CDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5513CDC-T1-GE3TR-ND
Price: 370.9416 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SI5513CDC-T1-GE3
DigiKey raktári szám	SI5513CDC-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SI5513CDC-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SI5513CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SI5513CDC-T1-GE3
Leírás	MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Gyártói standard átfutási idő	38 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	MOSFET tömb 20V 4A, 3,7A 3,1W Felületszerelt 1206-8 ChipFET™
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET- és MOSFET-tömbök	Rds On (max.) / Id, Ugs 55mohm / 4,4A, 4,5V
Gyártó Vishay Siliconix	Ugs(th) (Max) / Id 1,5V / 250µA
Sorozat TrenchFET®	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 4,2nC / 5V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 285pF / 10V
Alkatrész státusza Aktív	Max. teljesítmény 3,1W
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguráció N és P csatornás	Rögzítés módja Felületszerelt
FET jellegzetessége logikai FET	Tokozás 8-SMD, Lapos kivezetések
Drain-source feszültség (Udss) 20V	Gyártói tokozás 1206-8 ChipFET™
Drain áram (Id) 25°C-on 4A, 3,7A	Alap típusszám SI5513

Hibás termékinformáció jelentése

Dokumentumok és média

Környezetvédelmi és exportálási információk

További információk

Raktáron: 16 545

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®

* Minden Digi-Reel rendeléshez 1 947,00 Ft tekercselési díjat számolunk fel.

Szalag tekercsen (TR)