
SI5515CDC-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey raktári szám | SI5515CDC-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SI5515CDC-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Gyártó | |
Gyártói cikkszám | SI5515CDC-T1-GE3 |
Leírás | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
Gyártói standard átfutási idő | 38 hét |
Vevői azonosító | |
Részletes leírás | MOSFET tömb 20V 4A 3,1W Felületszerelt 1206-8 ChipFET™ |
Adatlap | Adatlap |
EDA / CAD modellek | SI5515CDC-T1-GE3 modellek |
Típus | Leírás | Mindet kijelölöm |
|---|---|---|
Kategória | ||
Gyártó | Vishay Siliconix | |
Sorozat | ||
Csomagolás | Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel® | |
Alkatrész státusza | Aktív | |
Technológia | MOSFET (fémoxid) | |
Konfiguráció | N és P csatornás | |
FET jellegzetessége | logikai FET | |
Drain-source feszültség (Udss) | 20V | |
Drain áram (Id) 25°C-on | 4A | |
Rds On (max.) / Id, Ugs | 36mohm / 6A, 4,5V | |
Ugs(th) (Max) / Id | 800mV / 250µA | |
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs | 11,3nC / 5V | |
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds | 632pF / 10V | |
Max. teljesítmény | 3,1W | |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Rögzítés módja | Felületszerelt | |
Tokozás | 8-SMD, Lapos kivezetések | |
Gyártói tokozás | 1206-8 ChipFET™ | |
Alap típusszám |
| Mennyiség | Egységár | Részösszeg |
|---|---|---|
| 1 | 399,69000 Ft | 399,69 Ft |
| 10 | 250,26400 Ft | 2 502,64 Ft |
| 100 | 164,85470 Ft | 16 485,47 Ft |
| 500 | 128,07138 Ft | 64 035,69 Ft |
| 1 000 | 116,23455 Ft | 116 234,55 Ft |
| Mennyiség | Egységár | Részösszeg |
|---|---|---|
| 3 000 | 101,19307 Ft | 303 579,21 Ft |
| 6 000 | 93,62109 Ft | 561 726,54 Ft |
| 9 000 | 89,76413 Ft | 807 877,17 Ft |
| 15 000 | 85,43113 Ft | 1 281 466,95 Ft |
| 21 000 | 82,86597 Ft | 1 740 185,37 Ft |
| 30 000 | 80,70563 Ft | 2 421 168,90 Ft |
| Egységár áfa nélkül: | 399,69000 Ft |
|---|---|
| Egységár áfával: | 507,60630 Ft |









