Name: ISC0802NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC0802NLSATMA1TR-ND
Price: 906.8816 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

ISC0802NLSATMA1
DigiKey raktári szám	448-ISC0802NLSATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-ISC0802NLSATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-ISC0802NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	ISC0802NLSATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Gyártói standard átfutási idő	26 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 22A (Ta), 150A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Ta) Felületszerelt PG-TDSON-8-7
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	ISC0802NLSATMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™ 5
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	100 V
Drain áram (Id) 25°C-on	22A (Ta), 150A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	3,6mohm / 50A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,3V / 92µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	73 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	5190 pF @ 50 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	2,5W (Ta), 125W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TDSON-8-7
Tokozás	8-TDFN
Alap típusszám	ISC0802N