N csatornás 1200 V 80A (Tc) 329W (Ta) Furatszerelt PG-TO247-4-17
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.
N csatornás 1200 V 80A (Tc) 329W (Ta) Furatszerelt PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R022M2HXKSA1

DigiKey raktári szám
448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Gyártó
Gyártói cikkszám
IMZC120R022M2HXKSA1
Leírás
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Gyártói standard átfutási idő
69 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 1200 V 80A (Tc) 329W (Ta) Furatszerelt PG-TO247-4-17
Adatlap
 Adatlap
EDA / CAD modellek
IMZC120R022M2HXKSA1 modellek
Termékadatok
Szűrés hasonló termékekre
A meg nem adott attribútumok megjelenítése
Kategória
Rds On (max.) / Id, Ugs
22mohm / 32A, 18V
Gyrt.
Ugs(th) (Max) / Id
5,1V / 10,1mA
Sorozat
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
71 nC @ 18 V
Csomagolás
Csőtár
Ugs (Max)
+23V, -7V
Alkatrész státusza
Aktív
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
2330 pF @ 800 V
FET típusa
Teljesítményveszteség (max.)
329W (Ta)
Technológia
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss)
1200 V
Rögzítés módja
Furatszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on
Gyártói tokozás
PG-TO247-4-17
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Tokozás
Környezetvédelmi és exportálási információk
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok
További információk
Raktáron: 841
A további beérkező áruk ellenőrzése
Beállított pénznem: HUF
Csőtár
Mennyiség Egységár Részösszeg
16 192,04000 Ft6 192,04 Ft
303 817,60667 Ft114 528,20 Ft
1203 297,68308 Ft395 721,97 Ft
5102 917,18808 Ft1 487 765,92 Ft
1 0202 778,51005 Ft2 834 080,25 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Megjegyzés: Ügyféli kérés teljesítése esetén, ha a vásárolt darabszám kisebb a standard kiszerelési mennyiségnél, a kiszerelés típusa megváltozhat.
Egységár áfa nélkül:6 192,04000 Ft
Egységár áfával:7 863,89080 Ft