IMZC120R022M2HXKSA1
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.
IMZC120R022M2HXKSA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R012M2HXKSA1

DigiKey raktári szám
448-IMZC120R012M2HXKSA1-ND
Gyártó
Gyártói cikkszám
IMZC120R012M2HXKSA1
Leírás
SICFET N-CH 1200V 129A TO247
Gyártói standard átfutási idő
26 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 1200 V 129A (Tc) 480W (Ta) Furatszerelt PG-TO247-4-17
Adatlap
 Adatlap
EDA / CAD modellek
IMZC120R012M2HXKSA1 modellek
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyrt.
Sorozat
Csomagolás
Csőtár
Alkatrész státusza
Aktív
FET típusa
Technológia
Drain-source feszültség (Udss)
1200 V
Drain áram (Id) 25°C-on
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max.) / Id, Ugs
12mohm / 57A, 18V
Ugs(th) (Max) / Id
5,1V / 17,8mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
124 nC @ 18 V
Ugs (Max)
+23V, -7V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
4050 pF @ 800 V
FET jellegzetessége
-
Teljesítményveszteség (max.)
480W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés
-
Minősítés
-
Rögzítés módja
Furatszerelt
Gyártói tokozás
PG-TO247-4-17
Tokozás
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 905
A további beérkező áruk ellenőrzése
Beállított pénznem: HUF
Csőtár
Mennyiség Egységár Részösszeg
17 885,08000 Ft7 885,08 Ft
305 039,36633 Ft151 180,99 Ft
1204 840,11600 Ft580 813,92 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Megjegyzés: Ügyféli kérés teljesítése esetén, ha a vásárolt darabszám kisebb a standard kiszerelési mennyiségnél, a kiszerelés típusa megváltozhat.
Egységár áfa nélkül:7 885,08000 Ft
Egységár áfával:10 014,05160 Ft