IMZC120R022M2HXKSA1
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.
IMZC120R022M2HXKSA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R034M2HXKSA1

DigiKey raktári szám
448-IMZC120R034M2HXKSA1-ND
Gyártó
Gyártói cikkszám
IMZC120R034M2HXKSA1
Leírás
SICFET N-CH 1200V 55A TO247
Gyártói standard átfutási idő
26 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 1200 V 55A (Tc) 244W (Tc) Furatszerelt PG-TO247-4-17
Adatlap
 Adatlap
EDA / CAD modellek
IMZC120R034M2HXKSA1 modellek
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyrt.
Sorozat
Csomagolás
Csőtár
Alkatrész státusza
Aktív
FET típusa
Technológia
Drain-source feszültség (Udss)
1200 V
Drain áram (Id) 25°C-on
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max.) / Id, Ugs
34mohm / 20A, 18V
Ugs(th) (Max) / Id
5,1V / 6,4mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
45 nC @ 18 V
Ugs (Max)
+23V, -7V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
1510 pF @ 800 V
FET jellegzetessége
-
Teljesítményveszteség (max.)
244W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés
-
Minősítés
-
Rögzítés módja
Furatszerelt
Gyártói tokozás
PG-TO247-4-17
Tokozás
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 raktáron
Ellenőrizze az átfutási időt.
Értesítést kérek a készletállapotról
Beállított pénznem: HUF
Csőtár
Mennyiség Egységár Részösszeg
13 751,45000 Ft3 751,45 Ft
302 246,39867 Ft67 391,96 Ft
1201 916,40075 Ft229 968,09 Ft
5101 859,88155 Ft948 539,59 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Megjegyzés: Ügyféli kérés teljesítése esetén, ha a vásárolt darabszám kisebb a standard kiszerelési mennyiségnél, a kiszerelés típusa megváltozhat.
Egységár áfa nélkül:3 751,45000 Ft
Egységár áfával:4 764,34150 Ft