Name: IMCQ120R005M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND
Price: 20647.6092 HUF
Availability: InStock

Új termék

N csatornás 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) Felületszerelt PG-HDSOP-22-3

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IMCQ120R005M2HXUMA1
DigiKey raktári szám	448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies Americas Corp.
Gyártói cikkszám	IMCQ120R005M2HXUMA1
Leírás	SICFET N-CH 1200V 342A 22PWRBSOP
Gyártói standard átfutási idő	39 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) Felületszerelt PG-HDSOP-22-3
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 5mOhm / 138,2A, 18V
Gyrt. Infineon Technologies Americas Corp.	Ugs(th) (Max) / Id 5,1V / 43,4mA
Sorozat CoolSiC™ G2	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 261 nC @ 18 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) +23V, -7V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 9760 pF @ 800 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 1364W (Tc)
Technológia SiCFET (szilícium-karbid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 1200 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 342A (Tc)	Gyártói tokozás PG-HDSOP-22-3
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Tokozás 22-PowerBSOP modul