Name: IMCQ120R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 13713.0028 HUF
Availability: InStock

N csatornás 1200 V 195A (Tc) 880W (Ta) Felületszerelt PG-HDSOP-22

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IMCQ120R010M2HXTMA1
DigiKey raktári szám	448-IMCQ120R010M2HXTMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IMCQ120R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IMCQ120R010M2HXTMA1
Leírás	SICFET N-CH 1200V 195A 22PWRBSOP
Gyártói standard átfutási idő	54 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 1200 V 195A (Tc) 880W (Ta) Felületszerelt PG-HDSOP-22
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IMCQ120R010M2HXTMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 10mOhm / 69A, 18V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs(th) (Max) / Id 5,1V / 21,7mA
Sorozat CoolSiC™ G2	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 150.1 nC @ 18 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) +23V, -7V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 6320 pF @ 800 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 880W (Ta)
Technológia SiCFET (szilícium-karbid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 1200 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 195A (Tc)	Gyártói tokozás PG-HDSOP-22
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Tokozás 22-PowerBSOP modul