Beállítások
Gyors kiszállítás
Ingyen kiszállítjuk
Incoterms
Fizetési módok
Marketplace termék
EPC2051 100 V eGaN® Power Transistor
EPC’s EPC2051 is 30 times smaller than comparable silicon and is capable of 97% efficiency at 500 kHz
EPC’s EPC2051 100 V eGaN power transistor has a maximum RDS(on) of 25 mΩ and a 37 A pulsed output current for high-efficiency power conversion in a tiny 1.1 mm2 footprint.
Despite the small footprint, the EPC2051 achieves 97% efficiency at a 4 A output while switching at 500 kHz while operating in a 50 V to 12 V buck converter. In addition, the low cost of the EPC2051 brings the performance of GaN FETs at a price comparable to silicon MOSFETs. Applications benefiting from this performance, small size, and low cost include 48 V input power converters for computing and telecom systems, LiDAR, LED lighting, and Class-D audio.
| Features | Applications | |
|
|
EPC2051 100 V eGaN® Power Transistor
| Kép | Gyártói cikkszám | Leírás | Available Quantity | Ár | Részletek megtekintése | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC2051 | GANFET N-CH 100V 1.7A DIE | 59018 - Immediate | $621.24 | Részletek megtekintése |
Evaluation Board
| Kép | Gyártói cikkszám | Leírás | Available Quantity | Ár | Részletek megtekintése | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EPC9091 | EVAL BOARD FOR EPC2051 | 11 - Immediate | $66,021.78 | Részletek megtekintése |
Published: 2018-09-07
Magyarország