FET-ek, MOSFET-ek

Megjelenítve:

, összesen: 14

Gyártói cikkszám	ELÉRHETŐ MENNYISÉG	Ár	Sorozat	Csomagolás	Termékállapot	FET típusa	Technológia	Drain-source feszültség (Udss)	Drain áram (Id) 25°C-on	Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	Rds On (max.) / Id, Ugs	Ugs(th) (Max) / Id	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	Ugs (Max)	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	FET jellegzetessége	Teljesítményveszteség (max.)	Üzemi hőmérséklet	Típusjelölés	Minősítés	Rögzítés módja	Gyártói tokozás	Tokozás
LSIC1MO170E0750 SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3 Littelfuse Inc.	247 Raktáron	1 : 2 782,58000 Ft Csőtár	-	Csőtár	Aktív	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1700 V	6,2A (Tc)	20V	1ohm / 2A, 20V	4V / 1mA	13 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	60W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Furatszerelt	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0160 SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 Littelfuse Inc.	2 221 Raktáron 1 350 gyári készlet	1 : 3 952,60000 Ft Csőtár	-	Csőtár	Aktív	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1200 V	22A (Tc)	20V	200mohm / 10A, 20V	4V / 5mA	57 nC @ 20 V	+22V, -6V	870 pF @ 800 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Furatszerelt	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0080 SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 Littelfuse Inc.	369 Raktáron	1 : 6 513,91000 Ft Csőtár	-	Csőtár	Aktív	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1200 V	39A (Tc)	20V	100mohm / 20A, 20V	4V / 10mA	95 nC @ 20 V	+22V, -6V	1825 pF @ 800 V	-	179W (Ta)	-55°C ~ 150°C	-	-	Furatszerelt	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO170T0750 SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L Littelfuse Inc.	853 Raktáron	1 : 3 278,75000 Ft Csőtár	-	Csőtár	Aktív	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1700 V	6,4A (Tc)	20V	1ohm / 2A, 20V	4V / 1mA	11 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	65W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	TO-263-7L	TO-263-8, D2PAK (7 kivezetés + fül), TO-263CA
LSIC1MO120G0040 MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 Raktáron Ellenőrizze az átfutási időt.	1 : 9 202,61000 Ft Csőtár	-	Csőtár	Aktív	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1200 V	70A (Tc)	20V	50mohm / 40A, 20V	4V / 20mA	175 nC @ 20 V	+22V, -6V	317 pF @ 800 V	-	357W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Furatszerelt	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO170E1000 SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L Littelfuse Inc.	0 Raktáron	450 : 1 189,30311 Ft Csőtár	-	Csőtár	Elavult	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1700 V	5A (Tc)	15V, 20V	1ohm / 2A, 20V	4V / 1mA	15 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	54W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Furatszerelt	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0120 SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 Littelfuse Inc.	0 Raktáron	Aktív	-	Csőtár	Aktív	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1200 V	27A (Tc)	20V	150mohm / 14A, 20V	4V / 7mA	80 nC @ 20 V	+22V, -6V	1125 pF @ 800 V	-	139W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Furatszerelt	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120G0120 MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 Raktáron	Aktív	-	Csőtár	Aktív	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1200 V	27A (Tc)	20V	150mohm / 14A, 20V	4V / 7mA	63 nC @ 20 V	+22V, -6V	1130 pF @ 800 V	-	156W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Furatszerelt	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0025 MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 Raktáron	Aktív	-	Csőtár	Aktív	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1200 V	100A (Tc)	20V	32mohm / 50A, 20V	4V / 30mA	265 nC @ 20 V	+22V, -6V	495 pF @ 800 V	-	500W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Furatszerelt	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0080 MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 Raktáron	Aktív	-	Csőtár	Aktív	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1200 V	39A (Tc)	20V	100mohm / 20A, 20V	4V / 10mA	92 nC @ 20 V	+22V, -6V	170 pF @ 800 V	-	214W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Furatszerelt	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0160 MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 Raktáron	Aktív	-	Csőtár	Aktív	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1200 V	22A (Tc)	20V	200mohm / 10A, 20V	4V / 5mA	50 nC @ 20 V	+22V, -6V	890 pF @ 800 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Furatszerelt	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120T0120-TU 1200V/120MOHM SIC MOSFET TO-263- IXYS	0 Raktáron	Aktív	-	Csőtár	Aktív	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1200 V	27A (Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Felületszerelt	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK (7 kivezetés + fül), TO-263CA
LSIC1MO120T0160-TU 1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263- IXYS	0 Raktáron	Aktív	-	Csőtár	Aktív	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1200 V	22A (Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Felületszerelt	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK (7 kivezetés + fül), TO-263CA
LSIC1MO120T0080-TU 1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7 IXYS	0 Raktáron	Aktív	-	Csőtár	Aktív	N csatornás	SiCFET (szilícium-karbid)	1200 V	39A (Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Felületszerelt	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK (7 kivezetés + fül), TO-263CA

Megjelenítve:

, összesen: 14

Egyszerű FET, MOSFET

Az egyszerű térvezérelt tranzisztorok (FET, Field-Effect Transistor) és a fém-oxid záróréteges térvezérelt tranzisztorok (MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) az elektronikus jelek erősítésére, illetve kapcsolására használt tranzisztortípusok.

Az egyszerű FET úgy működik, hogy a villanyáramnak a forrás (source, S) és a nyelő (drain, D) elektróda közötti folyását a kapu (gate, G) elektródára adott feszültség által létrehozott elektromos tér révén szabályozza. A FET-ek fő előnye a nagy bemeneti impedanciájuk, ami a jelerősítésben és az analóg áramkörökben való használatra ideális. Széles körben használják őket olyan felhasználási területeken, mint az erősítők és az oszcillátorok, valamint az elektronikus áramkörök pufferfokozatai.

A MOSFET a FET-ek altípusa, a kapu elektródát egy vékony oxidréteg szigeteli el a csatornától, ami növeli a MOSFET-ek teljesítményét, és kiváló hatásfokúvá teszi őket. A MOSFET-ek két altípusba sorolhatók:

n csatornás MOSFET-ek: itt elektronok az elsődleges töltéshordozók
p csatornás MOSFET-ek: itt lyukak az elsődleges töltéshordozók

A MOSFET-eket számos felhasználási területen előnyben részesítik kis fogyasztásuk, gyors kapcsolásuk és nagy áramok és feszültségek kezelésére való képességük miatt. Alapvető fontosságúak a digitális és analóg áramkörökben, beleértve a tápegységeket, a villanymotor-vezérlőket és a rádiófrekvenciás készülékeket.

A MOSFET-ek kétféle üzemmódúak lehetnek:

Növekményes üzemmód: ebben az üzemmódban a MOSFET alaphelyzetben zárva van, amikor a kapu–forrás feszültség nulla. A nyitáshoz pozitív (n csatornás MOSFET) vagy negatív (p csatornás MOSFET) kapu–forrás feszültségre van szükség.
Kiürítéses üzemmód: ebben az üzemmódban a MOSFET alaphelyzetben nyitva van, amikor a kapu–forrás feszültség nulla. A kiürítéses MOSFET ellentétes polaritású kapu–forrás feszültséget ráadva zárható le.

A MOSFET-ek számos előnyt kínálnak, például az alábbiakat:

Jó hatásfok: nagyon kicsi a fogyasztásuk, és gyorsan képesek állapotot váltani, így rendkívül jó hatásfokúak a feszültségszabályozó eszközökben.
Kis nyitóirányú ellenállás: nyitott állapotban kicsi az ellenállásuk, ami minimálisra csökkenti a veszteséget és a hőtermelést.
Nagy bemeneti impedancia: az, hogy a kialakításnál fogva a kapu szigetelve van, rendkívül nagy bemeneti impedanciát eredményez, így a MOSFET-ek ideálisak a nagy impedanciájú jelerősítéshez.

Összefoglalva: az egyszerű FET-ek és még inkább a MOSFET-ek a korszerű elektronikában nélkülözhetetlen alkatrészek, amelyek hatásfokukról, kapcsolási sebességükről és sokoldalúságukról ismertek, és számtalan felhasználási területen használják őket a kis energiájú jelek erősítésétől a nagy energiájú jelek kapcsolásán át a vezérlésig.

Egyszerű FET, MOSFET

Információk

Segítség

Kapcsolatfelvétel

Kövessen bennünket