FET-ek, MOSFET-ek

Megjelenítve:

, összesen: 44 275

Gyártói cikkszám	ELÉRHETŐ MENNYISÉG	Ár	Sorozat	Csomagolás	Termékállapot	FET típusa	Technológia	Drain-source feszültség (Udss)	Drain áram (Id) 25°C-on	Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	Rds On (max.) / Id, Ugs	Ugs(th) (Max) / Id	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	Ugs (Max)	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	FET jellegzetessége	Teljesítményveszteség (max.)	Üzemi hőmérséklet	Típusjelölés	Minősítés	Rögzítés módja	Gyártói tokozás	Tokozás
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	494 205 Raktáron	1 : 46,12000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 8,84944 Ft Szalag tekercsen (TR)	U-MOSVII-H	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9ohm / 100mA, 10V	2,1V / 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	1 148 661 Raktáron	1 : 49,19000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 9,51763 Ft Szalag tekercsen (TR)	U-MOSVII-H	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohm / 100mA, 10V	2,1V / 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN65D8L-7 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 Diodes Incorporated	38 271 Raktáron	1 : 52,27000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 10,17250 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	310mA (Ta)	5V, 10V	3ohm / 115mA, 10V	2V / 250µA	0.87 nC @ 10 V	±20V	22 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJC138K_R1_00001 SOT-323, MOSFET Panjit International Inc.	194 315 Raktáron	1 : 58,42000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 11,64006 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	50 V	360mA (Ta)	2,5V, 10V	1,6ohm / 500mA, 10V	1,5V / 250µA	1 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	236mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	152 256 Raktáron	1 : 61,49000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 11,17068 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohm / 50mA, 5V	2,5V / 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002WT1G MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 onsemi	91 089 Raktáron	1 : 61,49000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 11,69130 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	310mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohm / 500mA, 10V	2,5V / 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	280mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
SSM3K72KFS,LF MOSFET N-CH 60V 300MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	1 447 Raktáron	1 : 61,49000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 12,07664 Ft Szalag tekercsen (TR)	U-MOSVII-H	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	300mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohm / 100mA, 10V	2,1V / 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C	-	-	Felületszerelt	SSM	SC-75, SOT-416
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	210 325 Raktáron	1 : 64,56000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 12,03462 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohm / 500mA, 10V	2,3V / 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	11 085 Raktáron	1 : 64,56000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 12,20577 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5ohm / 220mA, 10V	1,5V / 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	911 974 Raktáron	1 : 67,64000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 13,30336 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2ohm / 100mA, 2,5V	1V / 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
FDV301N MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	197 526 Raktáron	1 : 67,64000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 12,77147 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	25 V	220mA (Ta)	2,7V, 4,5V	4ohm / 400mA, 4,5V	1,06V / 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002W-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 Diodes Incorporated	84 586 Raktáron	1 : 67,64000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 13,58109 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohm / 50mA, 5V	2V / 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	58 219 Raktáron	1 : 67,64000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 12,82784 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5ohm / 240mA, 10V	2,5V / 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K35AMFV,L3F MOSFET N-CH 20V 250MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	55 570 Raktáron	1 : 67,64000 Ft Vágott szalag (CT) 8 000 : 11,35989 Ft Szalag tekercsen (TR)	U-MOSIII	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	20 V	250mA (Ta)	1,2V, 4,5V	1,1ohm / 150mA, 4,5V	1V / 100µA	0.34 nC @ 4.5 V	±10V	36 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	VESM	SOT-723
SSM3K37FS,LF MOSFET N-CH 20V 200MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	14 379 Raktáron	1 : 67,64000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 13,30336 Ft Szalag tekercsen (TR)	U-MOSIII	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	20 V	200mA (Ta)	1,5V, 4,5V	2,2ohm / 100mA, 4,5V	1V / 1mA	-	±10V	12 pF @ 10 V	-	100mW (Ta)	150°C (TA)	-	-	Felületszerelt	SSM	SC-75, SOT-416
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	3 333 Raktáron	1 : 67,64000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 13,84550 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	30 V	350mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8ohm / 250mA, 10V	1,5V / 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	1 486 910 Raktáron	1 : 70,71000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 14,50242 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	50 V	200mA (Ta)	0,9V, 4,5V	2,2ohm / 200mA, 4,5V	800mV / 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	UMT3F	SC-85
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	127 271 Raktáron	1 : 70,71000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 13,21933 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	P-csatornás	MOSFET (fémoxid)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohm / 100mA, 5V	2V / 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	3 488 Raktáron	1 : 70,71000 Ft Vágott szalag (CT) 10 000 : 11,49187 Ft Szalag tekercsen (TR)	U-MOSVII-H	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohm / 100mA, 10V	2,1V / 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	CST3	SC-101, SOT-883
2N7002T-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 Diodes Incorporated	96 936 Raktáron	1 : 73,79000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 14,05047 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohm / 50mA, 5V	2V / 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-523	SOT-523
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	83 602 Raktáron	1 : 73,79000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 15,09272 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	100 V	170mA (Ta)	10V	6ohm / 170mA, 10V	2V / 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	31 344 Raktáron	1 : 73,79000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 14,21444 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	115mA (Tc)	5V, 10V	7,5ohm / 500mA, 10V	2,5V / 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Infineon Technologies	7 218 Raktáron	1 : 73,79000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 14,73915 Ft Szalag tekercsen (TR)	OptiMOS™	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	300mA (Ta)	4,5V, 10V	3ohm / 500mA, 10V	2,5V / 250µA	0.6 nC @ 10 V	±20V	20 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTA4001NT1G MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 onsemi	42 642 Raktáron	1 : 79,94000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 14,97691 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	20 V	238mA (Tj)	2,5V, 4,5V	3ohm / 10mA, 4,5V	1,5V / 100µA	-	±10V	20 pF @ 5 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SC-75, SOT-416	SC-75, SOT-416
BSS138K-13 MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23 Diodes Incorporated	170 063 Raktáron	1 : 83,01000 Ft Vágott szalag (CT) 10 000 : 14,28044 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	50 V	310mA (Ta)	10V	3,5ohm / 220mA, 10V	1,5V / 250µA	0.95 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Megjelenítve:

, összesen: 44 275

Egyszerű FET, MOSFET

Az egyszerű térvezérelt tranzisztorok (FET, Field-Effect Transistor) és a fém-oxid záróréteges térvezérelt tranzisztorok (MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) az elektronikus jelek erősítésére, illetve kapcsolására használt tranzisztortípusok.

Az egyszerű FET úgy működik, hogy a villanyáramnak a forrás (source, S) és a nyelő (drain, D) elektróda közötti folyását a kapu (gate, G) elektródára adott feszültség által létrehozott elektromos tér révén szabályozza. A FET-ek fő előnye a nagy bemeneti impedanciájuk, ami a jelerősítésben és az analóg áramkörökben való használatra ideális. Széles körben használják őket olyan felhasználási területeken, mint az erősítők és az oszcillátorok, valamint az elektronikus áramkörök pufferfokozatai.

A MOSFET a FET-ek altípusa, a kapu elektródát egy vékony oxidréteg szigeteli el a csatornától, ami növeli a MOSFET-ek teljesítményét, és kiváló hatásfokúvá teszi őket. A MOSFET-ek két altípusba sorolhatók:

n csatornás MOSFET-ek: itt elektronok az elsődleges töltéshordozók
p csatornás MOSFET-ek: itt lyukak az elsődleges töltéshordozók

A MOSFET-eket számos felhasználási területen előnyben részesítik kis fogyasztásuk, gyors kapcsolásuk és nagy áramok és feszültségek kezelésére való képességük miatt. Alapvető fontosságúak a digitális és analóg áramkörökben, beleértve a tápegységeket, a villanymotor-vezérlőket és a rádiófrekvenciás készülékeket.

A MOSFET-ek kétféle üzemmódúak lehetnek:

Növekményes üzemmód: ebben az üzemmódban a MOSFET alaphelyzetben zárva van, amikor a kapu–forrás feszültség nulla. A nyitáshoz pozitív (n csatornás MOSFET) vagy negatív (p csatornás MOSFET) kapu–forrás feszültségre van szükség.
Kiürítéses üzemmód: ebben az üzemmódban a MOSFET alaphelyzetben nyitva van, amikor a kapu–forrás feszültség nulla. A kiürítéses MOSFET ellentétes polaritású kapu–forrás feszültséget ráadva zárható le.

A MOSFET-ek számos előnyt kínálnak, például az alábbiakat:

Jó hatásfok: nagyon kicsi a fogyasztásuk, és gyorsan képesek állapotot váltani, így rendkívül jó hatásfokúak a feszültségszabályozó eszközökben.
Kis nyitóirányú ellenállás: nyitott állapotban kicsi az ellenállásuk, ami minimálisra csökkenti a veszteséget és a hőtermelést.
Nagy bemeneti impedancia: az, hogy a kialakításnál fogva a kapu szigetelve van, rendkívül nagy bemeneti impedanciát eredményez, így a MOSFET-ek ideálisak a nagy impedanciájú jelerősítéshez.

Összefoglalva: az egyszerű FET-ek és még inkább a MOSFET-ek a korszerű elektronikában nélkülözhetetlen alkatrészek, amelyek hatásfokukról, kapcsolási sebességükről és sokoldalúságukról ismertek, és számtalan felhasználási területen használják őket a kis energiájú jelek erősítésétől a nagy energiájú jelek kapcsolásán át a vezérlésig.

Egyszerű FET, MOSFET

Kövessen bennünket

Információk

Kapcsolat és ügyfélszolgálat