FET-ek, MOSFET-ek

Megjelenítve:

, összesen: 45 287

Gyártói cikkszám	ELÉRHETŐ MENNYISÉG	Ár	Sorozat	Csomagolás	Termékállapot	FET típusa	Technológia	Drain-source feszültség (Udss)	Drain áram (Id) 25°C-on	Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	Rds On (max.) / Id, Ugs	Ugs(th) (Max) / Id	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	Ugs (Max)	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	FET jellegzetessége	Teljesítményveszteség (max.)	Üzemi hőmérséklet	Típusjelölés	Minősítés	Rögzítés módja	Gyártói tokozás	Tokozás
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	86 267 Raktáron	1 : 46,76000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 8,71517 Ft Szalag tekercsen (TR)	U-MOSVII-H	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9ohm / 100mA, 10V	2,1V / 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	31 828 Raktáron	1 : 50,10000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 9,37315 Ft Szalag tekercsen (TR)	U-MOSVII-H	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohm / 100mA, 10V	2,1V / 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3 Diotec Semiconductor	4 308 Raktáron	1 : 50,10000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 9,99662 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	280mA (Ta)	5V, 10V	5ohm / 500mA, 10V	2,5V / 250µA	-	±30V	50 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-TP MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	120 987 Raktáron	1 : 53,44000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 10,32839 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohm / 500mA, 10V	2,5V / 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	1,08W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K72KFS,LF MOSFET N-CH 60V 300MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	98 678 Raktáron	1 : 60,12000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 11,89374 Ft Szalag tekercsen (TR)	U-MOSVII-H	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	300mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohm / 100mA, 10V	2,1V / 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C	-	-	Felületszerelt	SSM	SC-75, SOT-416
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	81 445 Raktáron	1 : 60,12000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 12,13533 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohm / 50mA, 5V	2,5V / 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	71 248 Raktáron	1 : 60,12000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 11,62654 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	50 V	220mA (Tj)	4,5V, 10V	3,5ohm / 220mA, 10V	1,5V / 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	2 941 Raktáron	1 : 60,12000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 11,81803 Ft Szalag tekercsen (TR)	TrenchMOS™	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6ohm / 300mA, 10V	1,5V / 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 1,14W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TA)	autóipar	AEC-Q101	Felületszerelt	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002WT1G MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 onsemi	110 177 Raktáron	1 : 63,46000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 12,70091 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	310mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohm / 500mA, 10V	2,5V / 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	280mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
BSS84AKW,115 MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 Nexperia USA Inc.	2 010 Raktáron	1 : 63,46000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 12,38695 Ft Szalag tekercsen (TR)	TrenchMOS™	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	P-csatornás	MOSFET (fémoxid)	50 V	150mA (Ta)	10V	7,5ohm / 100mA, 10V	2,1V / 250µA	0.35 nC @ 5 V	±20V	36 pF @ 25 V	-	260mW (Ta), 830mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	autóipar	AEC-Q101	Felületszerelt	SOT-323	SC-70, SOT-323
NX3020NAKW,115 MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323 Nexperia USA Inc.	1 226 Raktáron	1 : 63,46000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 12,38695 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	30 V	180mA (Ta)	2,5V, 10V	4,5ohm / 100mA, 10V	1,5V / 250µA	0.44 nC @ 4.5 V	±20V	13 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 1,1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-323	SC-70, SOT-323
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	984 607 Raktáron	1 : 66,80000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 13,50696 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2ohm / 100mA, 2,5V	1V / 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	313 523 Raktáron	1 : 66,80000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 13,07387 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohm / 500mA, 10V	2,3V / 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	200 085 Raktáron	1 : 66,80000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 13,56819 Ft Szalag tekercsen (TR)	TrenchMOS™	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	320mA (Ta)	10V	1,6ohm / 300mA, 10V	1,5V / 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 830mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TA)	autóipar	AEC-Q101	Felületszerelt	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002A-7 MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Diodes Incorporated	111 605 Raktáron	1 : 66,80000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 12,86234 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	180mA (Ta)	5V, 10V	6ohm / 115mA, 5V	2V / 250µA	-	±20V	23 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K37FS,LF MOSFET N-CH 20V 200MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	50 259 Raktáron	1 : 66,80000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 13,10171 Ft Szalag tekercsen (TR)	U-MOSIII	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	20 V	200mA (Ta)	1,5V, 4,5V	2,2ohm / 100mA, 4,5V	1V / 1mA	-	±10V	12 pF @ 10 V	-	100mW (Ta)	150°C (TA)	-	-	Felületszerelt	SSM	SC-75, SOT-416
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	283 731 Raktáron	1 : 70,14000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 14,36089 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	P-csatornás	MOSFET (fémoxid)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohm / 100mA, 5V	2V / 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	216 208 Raktáron	1 : 70,14000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 13,93559 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5ohm / 240mA, 10V	2,5V / 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	43 636 Raktáron	1 : 70,14000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 13,63611 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	30 V	350mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8ohm / 250mA, 10V	1,5V / 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	8 601 Raktáron	1 : 70,14000 Ft Vágott szalag (CT) 10 000 : 11,31726 Ft Szalag tekercsen (TR)	U-MOSVII-H	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5ohm / 100mA, 10V	2,1V / 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	CST3	SC-101, SOT-883
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	68 259 Raktáron	1 : 73,48000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 14,72383 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	50 V	200mA (Ta)	0,9V, 4,5V	2,2ohm / 200mA, 4,5V	800mV / 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	UMT3F	SC-85
RZM001P02T2L MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	47 814 Raktáron	1 : 73,48000 Ft Vágott szalag (CT) 8 000 : 12,59848 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	P-csatornás	MOSFET (fémoxid)	20 V	100mA (Ta)	1,2V, 4,5V	3,8ohm / 100mA, 4,5V	1V / 100µA	-	±10V	15 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	VMT3	SOT-723
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	834 173 Raktáron	1 : 76,82000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 15,44193 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	115mA (Tc)	5V, 10V	7,5ohm / 500mA, 10V	2,5V / 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	228 008 Raktáron	1 : 76,82000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 14,86300 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	100 V	170mA (Ta)	10V	6ohm / 170mA, 10V	2V / 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002T-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 Diodes Incorporated	172 542 Raktáron	1 : 76,82000 Ft Vágott szalag (CT) 3 000 : 15,26380 Ft Szalag tekercsen (TR)	-	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Aktív	N csatornás	MOSFET (fémoxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohm / 50mA, 5V	2V / 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Felületszerelt	SOT-523	SOT-523

Megjelenítve:

, összesen: 45 287

Egyszerű FET, MOSFET

Az egyszerű térvezérelt tranzisztorok (FET, Field-Effect Transistor) és a fém-oxid záróréteges térvezérelt tranzisztorok (MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) az elektronikus jelek erősítésére, illetve kapcsolására használt tranzisztortípusok.

Az egyszerű FET úgy működik, hogy a villanyáramnak a forrás (source, S) és a nyelő (drain, D) elektróda közötti folyását a kapu (gate, G) elektródára adott feszültség által létrehozott elektromos tér révén szabályozza. A FET-ek fő előnye a nagy bemeneti impedanciájuk, ami a jelerősítésben és az analóg áramkörökben való használatra ideális. Széles körben használják őket olyan felhasználási területeken, mint az erősítők és az oszcillátorok, valamint az elektronikus áramkörök pufferfokozatai.

A MOSFET a FET-ek altípusa, a kapu elektródát egy vékony oxidréteg szigeteli el a csatornától, ami növeli a MOSFET-ek teljesítményét, és kiváló hatásfokúvá teszi őket. A MOSFET-ek két altípusba sorolhatók:

n csatornás MOSFET-ek: itt elektronok az elsődleges töltéshordozók
p csatornás MOSFET-ek: itt lyukak az elsődleges töltéshordozók

A MOSFET-eket számos felhasználási területen előnyben részesítik kis fogyasztásuk, gyors kapcsolásuk és nagy áramok és feszültségek kezelésére való képességük miatt. Alapvető fontosságúak a digitális és analóg áramkörökben, beleértve a tápegységeket, a villanymotor-vezérlőket és a rádiófrekvenciás készülékeket.

A MOSFET-ek kétféle üzemmódúak lehetnek:

Növekményes üzemmód: ebben az üzemmódban a MOSFET alaphelyzetben zárva van, amikor a kapu–forrás feszültség nulla. A nyitáshoz pozitív (n csatornás MOSFET) vagy negatív (p csatornás MOSFET) kapu–forrás feszültségre van szükség.
Kiürítéses üzemmód: ebben az üzemmódban a MOSFET alaphelyzetben nyitva van, amikor a kapu–forrás feszültség nulla. A kiürítéses MOSFET ellentétes polaritású kapu–forrás feszültséget ráadva zárható le.

A MOSFET-ek számos előnyt kínálnak, például az alábbiakat:

Jó hatásfok: nagyon kicsi a fogyasztásuk, és gyorsan képesek állapotot váltani, így rendkívül jó hatásfokúak a feszültségszabályozó eszközökben.
Kis nyitóirányú ellenállás: nyitott állapotban kicsi az ellenállásuk, ami minimálisra csökkenti a veszteséget és a hőtermelést.
Nagy bemeneti impedancia: az, hogy a kialakításnál fogva a kapu szigetelve van, rendkívül nagy bemeneti impedanciát eredményez, így a MOSFET-ek ideálisak a nagy impedanciájú jelerősítéshez.

Összefoglalva: az egyszerű FET-ek és még inkább a MOSFET-ek a korszerű elektronikában nélkülözhetetlen alkatrészek, amelyek hatásfokukról, kapcsolási sebességükről és sokoldalúságukról ismertek, és számtalan felhasználási területen használják őket a kis energiájú jelek erősítésétől a nagy energiájú jelek kapcsolásán át a vezérlésig.

Egyszerű FET, MOSFET

Információk

Segítség

Kapcsolatfelvétel

Kövessen bennünket