Name: SIRS5800DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS5800DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1745.361 HUF
Availability: InStock

SIRS5800DP-T1-GE3
DigiKey raktári szám	742-SIRS5800DP-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 742-SIRS5800DP-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) 742-SIRS5800DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIRS5800DP-T1-GE3
Leírás	N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Gyártói standard átfutási idő	55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 80 V 46A (Ta), 265A (Tc) 7,4W (Ta), 240W (Tc) Felületszerelt PowerPAK® SO-8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SIRS5800DP-T1-GE3 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Vishay Siliconix
Sorozat	TrenchFET®
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	80 V
Drain áram (Id) 25°C-on	46A (Ta), 265A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	7,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	1,8mohm / 20A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	4V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	122 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	6190 pF @ 40 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	7,4W (Ta), 240W (Tc)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PowerPAK® SO-8
Tokozás	PowerPAK® SO-8
Alap típusszám	SIRS5800

Egységár áfa nélkül:	1 374,30000 Ft
Egységár áfával:	1 745,36100 Ft

SIRS5800DP-T1-GE3