Name: SIRA99DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA99DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1440.8023 HUF
Availability: OutOfStock

SIRA99DP-T1-GE3
DigiKey raktári szám	SIRA99DP-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SIRA99DP-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SIRA99DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIRA99DP-T1-GE3
Leírás	MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Gyártói standard átfutási idő	55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	P-csatornás 30 V 47,9A (Ta), 195A (Tc) 6,35W (Ta), 104W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® SO-8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SIRA99DP-T1-GE3 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Vishay Siliconix
Sorozat	TrenchFET® Gen IV
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	P-csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	30 V
Drain áram (Id) 25°C-on	47,9A (Ta), 195A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	1,7mohm / 20A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,5V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	260 nC @ 10 V
Ugs (Max)	+16V, -20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	10955 pF @ 15 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	6,35W (Ta), 104W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PowerPAK® SO-8
Tokozás	PowerPAK® SO-8
Alap típusszám	SIRA99

Mennyiség	Egységár	Részösszeg
3 000	349,36056 Ft	1 048 081,68 Ft
6 000	339,92441 Ft	2 039 546,46 Ft

Egységár áfa nélkül:	1 134,49000 Ft
Egységár áfával:	1 440,80230 Ft

SIRA99DP-T1-GE3