Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 527.9517 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

RS1E200GNTB
DigiKey raktári szám	RS1E200GNTBTR-ND - Szalag tekercsen (TR) RS1E200GNTBCT-ND - Vágott szalag (CT) RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Rohm Semiconductor
Gyártói cikkszám	RS1E200GNTB
Leírás	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Gyártói standard átfutási idő	21 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Ta) Felületszerelt 8-HSOP
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	RS1E200GNTB modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Rohm Semiconductor
Sorozat	-
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	30 V
Drain áram (Id) 25°C-on	20A (Ta), 57A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	4,6mohm / 20A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,5V / 1mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	16.8 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	1080 pF @ 15 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	3W (Ta), 25W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	8-HSOP
Tokozás	8-TDFN
Alap típusszám	RS1E

A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 2 283

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®

* Minden Digi-Reel rendeléshez 1 947,00 Ft tekercselési díjat számolunk fel.

Szalag tekercsen (TR)