Name: SIDR626LDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR626LDP-T1-RE3TR-ND
Price: 2069.4523 HUF
Availability: InStock

SIDR626LDP-T1-RE3
DigiKey raktári szám	742-SIDR626LDP-T1-RE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 742-SIDR626LDP-T1-RE3CT-ND - Vágott szalag (CT) 742-SIDR626LDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SIDR626LDP-T1-RE3
Leírás	MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Gyártói standard átfutási idő	55 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 60 V 45,6A (Ta) 6,25W (Ta), 125W (Ta) Felületszerelt PowerPAK® SO-8DC
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SIDR626LDP-T1-RE3 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Vishay Siliconix
Sorozat	TrenchFET® Gen IV
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	60 V
Drain áram (Id) 25°C-on	45,6A (Ta)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	1,5mohm / 20A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,5V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	135 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	5900 pF @ 30 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	6,25W (Ta), 125W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PowerPAK® SO-8DC
Tokozás	PowerPAK® SO-8
Alap típusszám	SIDR626

Egységár áfa nélkül:	1 629,49000 Ft
Egységár áfával:	2 069,45230 Ft

SIDR626LDP-T1-RE3