Name: SI4497DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4497DY-T1-GE3TR-ND
Price: 1115.5172 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

SI4497DY-T1-GE3
DigiKey raktári szám	SI4497DY-T1-GE3TR-ND - Szalag tekercsen (TR) SI4497DY-T1-GE3CT-ND - Vágott szalag (CT) SI4497DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Vishay Siliconix
Gyártói cikkszám	SI4497DY-T1-GE3
Leírás	MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Gyártói standard átfutási idő	24 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	P-csatornás 30 V 36A (Tc) 3,5W (Ta), 7,8W (Ta) Felületszerelt 8-SOIC
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	SI4497DY-T1-GE3 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Vishay Siliconix
Sorozat	TrenchFET®
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	P-csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	30 V
Drain áram (Id) 25°C-on	36A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	3,3mohm / 20A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,5V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	285 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	9685 pF @ 15 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	3,5W (Ta), 7,8W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	8-SOIC
Tokozás	8-SOIC (0,154", 3,90mm széles)
Alap típusszám	SI4497