Name: RQ3E120ATTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E120ATTBTR-ND
Price: 476.1611 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

RQ3E120ATTB
DigiKey raktári szám	RQ3E120ATTBTR-ND - Szalag tekercsen (TR) RQ3E120ATTBCT-ND - Vágott szalag (CT) RQ3E120ATTBDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Rohm Semiconductor
Gyártói cikkszám	RQ3E120ATTB
Leírás	MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Gyártói standard átfutási idő	12 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	P-csatornás 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) Felületszerelt 8-HSMT (3,2x3)
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	RQ3E120ATTB modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 2,5V / 1mA
Gyrt. Rohm Semiconductor	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 62 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 3200 pF @ 15 V
FET típusa P-csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 2W (Ta)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet 150°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 30 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 12A (Ta)	Gyártói tokozás 8-HSMT (3,2x3)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Tokozás 8-VDFN
Rds On (max.) / Id, Ugs 8mohm / 12A, 10V	Alap típusszám RQ3E120

Hibás termékinformáció jelentése

Dokumentumok és média

Környezetvédelmi és exportálási információk

További információk

Raktáron: 1 314

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®

* Minden Digi-Reel rendeléshez 1 947,00 Ft tekercselési díjat számolunk fel.

Szalag tekercsen (TR)