Name: RBE029N10R1SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND
Price: 1210.437 HUF
Availability: InStock

Új termék

N csatornás 100 V 160A (Tc) 165W (Ta) Felületszerelt 8-DFN (4,9x5,75)

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

RBE029N10R1SZN6#HB0
DigiKey raktári szám	559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND - Vágott szalag (CT) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Renesas Electronics Corporation
Gyártói cikkszám	RBE029N10R1SZN6#HB0
Leírás	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
Gyártói standard átfutási idő	12 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 160A (Tc) 165W (Ta) Felületszerelt 8-DFN (4,9x5,75)
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 4V / 109µA
Gyrt. Renesas Electronics Corporation	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 91 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 6500 pF @ 50 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 165W (Ta)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 160A (Tc)	Gyártói tokozás 8-DFN (4,9x5,75)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 10V	Tokozás 8-TDFN
Rds On (max.) / Id, Ugs 2,9mohm / 80A, 10V