N csatornás 650 V 77A (Tc) 312W (Ta) Felületszerelt 8-HPSOF
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

NTBL023N065M3S

DigiKey raktári szám
488-NTBL023N065M3S-ND
Gyártó
onsemi
Gyártói cikkszám
NTBL023N065M3S
Leírás
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Gyártói standard átfutási idő
22 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 650 V 77A (Tc) 312W (Ta) Felületszerelt 8-HPSOF
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyrt.
onsemi
Sorozat
-
Csomagolás
Ömlesztve
Alkatrész státusza
Aktív
FET típusa
N csatornás
Technológia
SiCFET (szilícium-karbid)
Drain-source feszültség (Udss)
650 V
Drain áram (Id) 25°C-on
77A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max.) / Id, Ugs
32,6mohm / 20A, 18V
Ugs(th) (Max) / Id
4V / 10mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
69 nC @ 18 V
Ugs (Max)
+22V, -8V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
1950 pF @ 400 V
FET jellegzetessége
-
Teljesítményveszteség (max.)
312W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés
-
Minősítés
-
Rögzítés módja
Felületszerelt
Gyártói tokozás
8-HPSOF
Tokozás
8-SFN
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 1 760
A további beérkező áruk ellenőrzése
Mennyiség
Beállított pénznem: HUF
Ömlesztve
Mennyiség Egységár Részösszeg
15 060,58000 Ft5 060,58 Ft
103 573,47600 Ft35 734,76 Ft
1002 735,62890 Ft273 562,89 Ft
5002 672,65990 Ft1 336 329,95 Ft
Egységár áfa nélkül:5 060,58000 Ft
Egységár áfával:6 426,93660 Ft
Ez is érdekelheti
1 árucikk
NTMT045N065SC1

NTMT045N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

onsemi

4 013,23000 Ft