N csatornás 650 V 55A (Tc) 187W (Ta) Felületszerelt 4-TDFN (8x8)
A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

NTMT045N065SC1

DigiKey raktári szám
5556-NTMT045N065SC1TR-ND - Szalag tekercsen (TR)
5556-NTMT045N065SC1CT-ND - Vágott szalag (CT)
5556-NTMT045N065SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó
onsemi
Gyártói cikkszám
NTMT045N065SC1
Leírás
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Gyártói standard átfutási idő
17 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás
N csatornás 650 V 55A (Tc) 187W (Ta) Felületszerelt 4-TDFN (8x8)
Adatlap
 Adatlap
Termékadatok
Típus
Leírás
Mindet kijelölöm
Kategória
Gyrt.
onsemi
Sorozat
-
Csomagolás
Szalag tekercsen (TR)
Vágott szalag (CT)
Digi-Reel®
Alkatrész státusza
Aktív
FET típusa
N csatornás
Technológia
SiCFET (szilícium-karbid)
Drain-source feszültség (Udss)
650 V
Drain áram (Id) 25°C-on
55A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
15V, 18V
Rds On (max.) / Id, Ugs
50mohm / 25A, 18V
Ugs(th) (Max) / Id
4,3V / 8mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
105 nC @ 18 V
Ugs (Max)
+22V, -8V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
1870 pF @ 325 V
FET jellegzetessége
-
Teljesítményveszteség (max.)
187W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés
-
Minősítés
-
Rögzítés módja
Felületszerelt
Gyártói tokozás
4-TDFN (8x8)
Tokozás
4-TSFN
Alap típusszám
NTMT045
A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 6 564
A további beérkező áruk ellenőrzése
Mennyiség
Beállított pénznem: HUF
Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®
Mennyiség Egységár Részösszeg
14 013,23000 Ft4 013,23 Ft
102 798,05300 Ft27 980,53 Ft
1002 423,69850 Ft242 369,85 Ft
* Minden Digi-Reel rendeléshez 1 947,00 Ft tekercselési díjat számolunk fel.
Szalag tekercsen (TR)
Mennyiség Egységár Részösszeg
3 0001 980,15235 Ft5 940 457,05 Ft
Gyártói standard kiszerelés
Egységár áfa nélkül:4 013,23000 Ft
Egységár áfával:5 096,80210 Ft
Ez is érdekelhetiMutasd mind
10 árucikk
TW031V65C,LQ

TW031V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

12 219,06000 Ft
SCTL35N65G2V

SCTL35N65G2V

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

STMicroelectronics

5 131,05000 Ft
SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

9 339,66000 Ft
FL06100G

FL06100G

SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8

fastSiC

2 616,77000 Ft
TW054V65C,LQ

TW054V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.054 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

8 785,55000 Ft
IMTA65R033M2HXTMA1

IMTA65R033M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

3 260,55000 Ft
FF06100G

FF06100G

SICFET N-CH 650V 20.6A PDFN8x8

fastSiC

2 616,77000 Ft
NTMT064N65S3H

NTMT064N65S3H

MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN

onsemi

2 927,45000 Ft
NTBL023N065M3S

NTBL023N065M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

onsemi

5 060,58000 Ft
IPL60R060CFD7AUMA1

IPL60R060CFD7AUMA1

MOSFET N CH

Infineon Technologies

2 386,16000 Ft