Name: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 1147.953 HUF
Availability: InStock

N csatornás 100 V 10A (Ta), 63A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Ta) Felületszerelt PG-TSDSON-8 FL

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1
DigiKey raktári szám	448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Leírás	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 10A (Ta), 63A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Ta) Felületszerelt PG-TSDSON-8 FL
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 11,3mohm / 20A, 10V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs(th) (Max) / Id 3,9V / 36µA
Sorozat OptiMOS™ 5	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 29 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 2300 pF @ 50 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 2,5W (Ta), 100W (Ta)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 10A (Ta), 63A (Tc)	Gyártói tokozás PG-TSDSON-8 FL
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 10V	Tokozás 8-TDFN