Name: ISC035N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 2026.5009 HUF
Availability: OutOfStock

N csatornás 100 V 19A (Ta), 164A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Felületszerelt PG-TDSON-8 FL

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

ISC035N10NM5LF2ATMA1
DigiKey raktári szám	448-ISC035N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-ISC035N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	ISC035N10NM5LF2ATMA1
Leírás	ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 19A (Ta), 164A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Felületszerelt PG-TDSON-8 FL
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 3,5mohm / 50A, 10V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs(th) (Max) / Id 3,9V / 115µA
Sorozat OptiMOS™ 5	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 88 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 7200 pF @ 50 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 3W (Ta), 217W (Tc)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 19A (Ta), 164A (Tc)	Gyártói tokozás PG-TDSON-8 FL
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 10V	Tokozás 8-TDFN