IRFHM830TRPBF Infineon Technologies | Diszkrét félvezető alkatrészek

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IRFHM830TRPBF
DigiKey raktári szám	IRFHM830TRPBFTR-ND - Szalag tekercsen (TR) IRFHM830TRPBFCT-ND - Vágott szalag (CT) IRFHM830TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IRFHM830TRPBF
Leírás	MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2,7W (Ta), 37W (Ta) Felületszerelt 8-PQFN-Dual (3,3x3,3)
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IRFHM830TRPBF modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	HEXFET®
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Elavult
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	30 V
Drain áram (Id) 25°C-on	21A (Ta), 40A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	3,8mohm / 20A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,35V / 50µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	31 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	2155 pF @ 25 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	2,7W (Ta), 37W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	8-PQFN-Dual (3,3x3,3)
Tokozás	8-VDFN
Alap típusszám	IRFHM830