Name: IRF1010NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1010NSTRLPBFTR-ND
Price: 1077.1886 HUF
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

IRF1010NSTRLPBF
cms-digikey-product-number	IRF1010NSTRLPBFTR-ND - Szalag tekercsen (TR) IRF1010NSTRLPBFCT-ND - Vágott szalag (CT) IRF1010NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IRF1010NSTRLPBF
cms-description	MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
cms-standard-lead-time	26 hét
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N csatornás 55 V 85A (Tc) 180W (Ta) Felületszerelt D2PAK
Adatlap	Adatlap

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	HEXFET®
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	55 V
Drain áram (Id) 25°C-on	85A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	11mohm / 43A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	4V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	120 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	3210 pF @ 25 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	180W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	D2PAK
Tokozás	TO-263-3, D2PAK (2 kivezetés + fül), TO-263AB
Alap típusszám	IRF1010