Name: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT023N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 2373.0585 HUF
Availability: InStock

N csatornás 100 V 27A (Ta), 243A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Ta) Felületszerelt PG-HSOF-8-1

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IPT023N10NM5LF2ATMA1
DigiKey raktári szám	448-IPT023N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IPT023N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IPT023N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPT023N10NM5LF2ATMA1
Leírás	IPT023N10NM5LF2ATMA1
Gyártói standard átfutási idő	17 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 27A (Ta), 243A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Ta) Felületszerelt PG-HSOF-8-1
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IPT023N10NM5LF2ATMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 2,1mohm / 100A, 15V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs(th) (Max) / Id 3,9V / 193µA
Sorozat OptiMOS™ 5	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 144 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 12000 pF @ 50 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 3,8W (Ta), 300W (Ta)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 100 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 27A (Ta), 243A (Tc)	Gyártói tokozás PG-HSOF-8-1
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 10V, 15V	Tokozás 8-SFN