Name: IPT020N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT020N10N5ATMA1TR-ND
Price: 1893.7351 HUF
Availability: InStock

IPT020N10N5ATMA1
DigiKey raktári szám	448-IPT020N10N5ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IPT020N10N5ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IPT020N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPT020N10N5ATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Gyártói standard átfutási idő	31 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 100 V 31A (Ta), 260A (Tc) 273W (Ta) Felületszerelt PG-HSOF-8-1
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IPT020N10N5ATMA1 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™ 5
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	100 V
Drain áram (Id) 25°C-on	31A (Ta), 260A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	2mohm / 150A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	3,8V / 202µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	152 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	11000 pF @ 50 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	273W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-HSOF-8-1
Tokozás	8-SFN
Alap típusszám	IPT020

Mennyiség	Egységár	Részösszeg
2 000	503,47397 Ft	1 006 947,94 Ft
4 000	499,37566 Ft	1 997 502,64 Ft

Egységár áfa nélkül:	1 491,13000 Ft
Egységár áfával:	1 893,73510 Ft

IPT020N10N5ATMA1