Name: IPB081N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB081N06L3GATMA1TR-ND
Price: 855.7895 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IPB081N06L3GATMA1
DigiKey raktári szám	IPB081N06L3GATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) IPB081N06L3GATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) IPB081N06L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPB081N06L3GATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Gyártói standard átfutási idő	14 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 60 V 50A (Tc) 79W (Ta) Felületszerelt PG-TO263-3
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IPB081N06L3GATMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	60 V
Drain áram (Id) 25°C-on	50A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	8,1mohm / 50A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,2V / 34µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	29 nC @ 4.5 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	4900 pF @ 30 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	79W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TO263-3
Tokozás	TO-263-3, D2PAK (2 kivezetés + fül), TO-263AB
Alap típusszám	IPB081