IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies | Diszkrét félvezető alkatrészek

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IPB049NE7N3GATMA1
DigiKey raktári szám	IPB049NE7N3GATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) IPB049NE7N3GATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT)
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IPB049NE7N3GATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 75 V 80A (Tc) 150W (Ta) Felületszerelt PG-TO263-3
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IPB049NE7N3GATMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT)
Alkatrész státusza	Elavult
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	75 V
Drain áram (Id) 25°C-on	80A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	4,9mohm / 80A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	3,8V / 91µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	68 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	4750 pF @ 37.5 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	150W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 175°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TO263-3
Tokozás	TO-263-3, D2PAK (2 kivezetés + fül), TO-263AB
Alap típusszám	IPB049