
IMW65R007M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey raktári szám | 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND |
Gyártó | |
Gyártói cikkszám | IMW65R007M2HXKSA1 |
Leírás | SILICON CARBIDE MOSFET |
Gyártói standard átfutási idő | 61 hét |
Vevői azonosító | |
Részletes leírás | N csatornás 650 V 171A (Tc) 625W (Ta) Furatszerelt PG-TO247-3-U06 |
Adatlap | Adatlap |
EDA / CAD modellek | IMW65R007M2HXKSA1 modellek |
Típus | Leírás | Mindet kijelölöm |
|---|---|---|
Kategória | ||
Gyrt. | ||
Sorozat | ||
Csomagolás | Csőtár | |
Alkatrész státusza | Aktív | |
FET típusa | ||
Technológia | ||
Drain-source feszültség (Udss) | 650 V | |
Drain áram (Id) 25°C-on | ||
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) | 15V, 20V | |
Rds On (max.) / Id, Ugs | 6,1mohm / 146,3A, 20V | |
Ugs(th) (Max) / Id | 5,6V / 29,7mA | |
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs | 179 nC @ 18 V | |
Ugs (Max) | +23V, -7V | |
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds | 6359 pF @ 400 V | |
FET jellegzetessége | - | |
Teljesítményveszteség (max.) | 625W (Ta) | |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Típusjelölés | - | |
Minősítés | - | |
Rögzítés módja | Furatszerelt | |
Gyártói tokozás | PG-TO247-3-U06 | |
Tokozás |
| Mennyiség | Egységár | Részösszeg |
|---|---|---|
| 1 | 8 900,86000 Ft | 8 900,86 Ft |
| 30 | 5 772,80033 Ft | 173 184,01 Ft |
| 120 | 5 709,43617 Ft | 685 132,34 Ft |
| Egységár áfa nélkül: | 8 900,86000 Ft |
|---|---|
| Egységár áfával: | 11 304,09220 Ft |











