
IMT65R050M2HXUMA1 | |
|---|---|
DigiKey raktári szám | 448-IMT65R050M2HXUMA1TR-ND |
Gyártó | |
Gyártói cikkszám | IMT65R050M2HXUMA1 |
Leírás | SILICON CARBIDE MOSFET |
Gyártói standard átfutási idő | 23 hét |
Vevői azonosító | |
Részletes leírás | N csatornás 650 V 48,1A (Tc) 237W (Ta) Felületszerelt PG-HSOF-8-2 |
Adatlap | Adatlap |
Típus | Leírás | Mindet kijelölöm |
|---|---|---|
Kategória | ||
Gyrt. | ||
Sorozat | ||
Csomagolás | Csőtár | |
Alkatrész státusza | Aktív | |
FET típusa | ||
Technológia | ||
Drain-source feszültség (Udss) | 650 V | |
Drain áram (Id) 25°C-on | ||
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) | 15V, 20V | |
Rds On (max.) / Id, Ugs | 46mohm / 18,2A, 20V | |
Ugs(th) (Max) / Id | 5,6V / 3,7mA | |
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs | 22 nC @ 18 V | |
Ugs (Max) | +23V, -7V | |
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds | 790 pF @ 400 V | |
FET jellegzetessége | - | |
Teljesítményveszteség (max.) | 237W (Ta) | |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Típusjelölés | - | |
Minősítés | - | |
Rögzítés módja | Felületszerelt | |
Gyártói tokozás | PG-HSOF-8-2 | |
Tokozás |
| Mennyiség | Egységár | Részösszeg |
|---|---|---|
| 2 000 | 956,59397 Ft | 1 913 187,94 Ft |
| Egységár áfa nélkül: | 956,59397 Ft |
|---|---|
| Egységár áfával: | 1 214,87434 Ft |






