Name: IMT65R060M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND
Price: 3000.1972 HUF
Availability: OutOfStock

N csatornás 650 V 41,4A (Tc) 208W (Ta) Felületszerelt PG-HSOF-8-2

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IMT65R060M2HXUMA1
DigiKey raktári szám	448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IMT65R060M2HXUMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IMT65R060M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IMT65R060M2HXUMA1
Leírás	SILICON CARBIDE MOSFET
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 650 V 41,4A (Tc) 208W (Ta) Felületszerelt PG-HSOF-8-2
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IMT65R060M2HXUMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 55mohm / 15,4A, 20V
Gyrt. Infineon Technologies	Ugs(th) (Max) / Id 5,6V / 3,1mA
Sorozat CoolSiC™	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 19 nC @ 18 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) +23V, -7V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 669 pF @ 400 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 208W (Ta)
Technológia SiCFET (szilícium-karbid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 650 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 41,4A (Tc)	Gyártói tokozás PG-HSOF-8-2
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 15V, 20V	Tokozás 8-SFN