Name: IGOT65R025D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGOT65R025D2AUMA1TR-ND
Price: 5946.1908 HUF
Availability: OutOfStock

N csatornás 650 V 61A (Tc) 184W (Ta) Felületszerelt PG-DSO-20-91

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IGOT65R025D2AUMA1
DigiKey raktári szám	448-IGOT65R025D2AUMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IGOT65R025D2AUMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IGOT65R025D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IGOT65R025D2AUMA1
Leírás	GANFET N-CH 650V 61A 20BFSOP
Gyártói standard átfutási idő	27 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 650 V 61A (Tc) 184W (Ta) Felületszerelt PG-DSO-20-91
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IGOT65R025D2AUMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 1,6V / 6,1mA
Gyrt. Infineon Technologies	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 11 nC @ 3 V
Sorozat CoolGaN™ G5	Ugs (Max) -10V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 780 pF @ 400 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 184W (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia GaNFET (gallium-nitrid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 650 V	Gyártói tokozás PG-DSO-20-91
Drain áram (Id) 25°C-on 61A (Tc)	Tokozás 20-BFSOP (0,295", 7,50mm széles)
Rds On (max.) / Id, Ugs 30mohm, 18A mellett