Name: IGT65R025D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND
Price: 5817.8827 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

IGT65R025D2ATMA1
DigiKey raktári szám	448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IGT65R025D2ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IGT65R025D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IGT65R025D2ATMA1
Leírás	GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Gyártói standard átfutási idő	27 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 650 V 70A (Tc) 236W (Ta) Felületszerelt PG-HSOF-8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IGT65R025D2ATMA1 modellek

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Ugs(th) (Max) / Id 1,6V / 6,1mA
Gyrt. Infineon Technologies	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 11 nC @ 3 V
Sorozat CoolGaN™ G5	Ugs (Max) -10V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 780 pF @ 400 V
Alkatrész státusza Aktív	Teljesítményveszteség (max.) 236W (Ta)
FET típusa N csatornás	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 150°C (TJ)
Technológia GaNFET (gallium-nitrid)	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain-source feszültség (Udss) 650 V	Gyártói tokozás PG-HSOF-8
Drain áram (Id) 25°C-on 70A (Tc)	Tokozás 8-SFN
Rds On (max.) / Id, Ugs 30mohm, 18A mellett