Name: IGLD65R055D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R055D2AUMA1TR-ND
Price: 2834.7543 HUF
Availability: InStock

IGLD65R055D2AUMA1
DigiKey raktári szám	448-IGLD65R055D2AUMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-IGLD65R055D2AUMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-IGLD65R055D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	IGLD65R055D2AUMA1
Leírás	GANFET N-CH 650V 20A 8LDFN
Gyártói standard átfutási idő	35 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 650 V 20A (Tc) 91W (Ta) Felületszerelt PG-LSON-8-1
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	IGLD65R055D2AUMA1 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	CoolGaN™ G5
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	GaNFET (gallium-nitrid)
Drain-source feszültség (Udss)	650 V
Drain áram (Id) 25°C-on	20A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	-
Rds On (max.) / Id, Ugs	70mohm, 7,9A mellett
Ugs(th) (Max) / Id	1,6V / 2,6mA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	4.7 nC @ 3 V
Ugs (Max)	-10V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	340 pF @ 400 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	91W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-LSON-8-1
Tokozás	8-LDFN szabadon lévő kontaktus

Egységár áfa nélkül:	2 232,09000 Ft
Egységár áfával:	2 834,75430 Ft

IGLD65R055D2AUMA1