Name: BSZ123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 852.6018 HUF
Availability: OutOfStock

BSZ123N08NS3GATMA1
DigiKey raktári szám	BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) BSZ123N08NS3GATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) BSZ123N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	BSZ123N08NS3GATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 66W (Ta) Felületszerelt PG-TSDSON-8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	BSZ123N08NS3GATMA1 modellek

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	80 V
Drain áram (Id) 25°C-on	10A (Ta), 40A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	12,3mohm / 20A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	3,5V / 33µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	25 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	1700 pF @ 40 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	2,1W (Ta), 66W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TSDSON-8
Tokozás	8-VDFN
Alap típusszám	BSZ123

Egységár áfa nélkül:	671,34000 Ft
Egységár áfával:	852,60180 Ft

BSZ123N08NS3GATMA1