Name: BSZ0901NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSATMA1TR-ND
Price: 625.8814 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

BSZ0901NSATMA1
DigiKey raktári szám	BSZ0901NSATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) BSZ0901NSATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) BSZ0901NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	BSZ0901NSATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Gyártói standard átfutási idő	18 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Ta) Felületszerelt PG-TSDSON-8
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	BSZ0901NSATMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	30 V
Drain áram (Id) 25°C-on	22A (Ta), 40A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	2mohm / 20A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	2,2V / 250µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	45 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	2850 pF @ 15 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	2,1W (Ta), 50W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TSDSON-8
Tokozás	8-TDFN
Alap típusszám	BSZ0901

A termékekre vonatkozó kérdések és válaszok

Nézze meg, mit kérdeznek a mérnökök, tegye fel a saját kérdéseit, vagy segítsen a DigiKey mérnöki közösség valamelyik tagjának

Raktáron: 1 735

A további beérkező áruk ellenőrzése

Mennyiség

Beállított pénznem: HUF

Vágott szalag (CT) & Digi-Reel®