Name: BSC057N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC057N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 1115.5172 HUF
Availability: InStock

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

BSC057N08NS3GATMA1
DigiKey raktári szám	BSC057N08NS3GATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) BSC057N08NS3GATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) BSC057N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies
Gyártói cikkszám	BSC057N08NS3GATMA1
Leírás	MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Gyártói standard átfutási idő	26 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 114W (Ta) Felületszerelt PG-TDSON-8-5
Adatlap	Adatlap
EDA / CAD modellek	BSC057N08NS3GATMA1 modellek

Termékadatok

Típus	Leírás	Mindet kijelölöm
Kategória	Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek
Gyrt.	Infineon Technologies
Sorozat	OptiMOS™
Csomagolás	Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®
Alkatrész státusza	Aktív
FET típusa	N csatornás
Technológia	MOSFET (fémoxid)
Drain-source feszültség (Udss)	80 V
Drain áram (Id) 25°C-on	16A (Ta), 100A (Tc)
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max.) / Id, Ugs	5,7mohm / 50A, 10V
Ugs(th) (Max) / Id	3,5V / 73µA
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs	56 nC @ 10 V
Ugs (Max)	±20V
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds	3900 pF @ 40 V
FET jellegzetessége	-
Teljesítményveszteség (max.)	2,5W (Ta), 114W (Ta)
Üzemi hőmérséklet	-55°C ~ 150°C (TJ)
Típusjelölés	-
Minősítés	-
Rögzítés módja	Felületszerelt
Gyártói tokozás	PG-TDSON-8-5
Tokozás	8-TDFN
Alap típusszám	BSC057