Name: ISC019N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-ISC019N08NM7ATMA1TR-ND
Price: 1792.3764 HUF
Availability: InStock

Új termék

N csatornás 80 V 26A (Ta), 209A (Tc) 3W (Ta), 188W (Ta) Felületszerelt PG-TDSON-8-43

A kép csak reprezentáció. A pontos műszaki adatokhoz nézze meg a termék adatlapját.

ISC019N08NM7ATMA1
DigiKey raktári szám	448-ISC019N08NM7ATMA1TR-ND - Szalag tekercsen (TR) 448-ISC019N08NM7ATMA1CT-ND - Vágott szalag (CT) 448-ISC019N08NM7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Gyártó	Infineon Technologies Americas Corp.
Gyártói cikkszám	ISC019N08NM7ATMA1
Leírás	ISC019N08NM7ATMA1
Gyártói standard átfutási idő	61 hét
Vevői azonosító
Részletes leírás	N csatornás 80 V 26A (Ta), 209A (Tc) 3W (Ta), 188W (Ta) Felületszerelt PG-TDSON-8-43
Adatlap	Adatlap

Termékadatok

Szűrés hasonló termékekre

A meg nem adott attribútumok megjelenítése

Kategória Diszkrét félvezető alkatrészek Tranzisztorok FET-ek, MOSFET-ek FET-ek, MOSFET-ek	Rds On (max.) / Id, Ugs 1,9mohm / 50A, 10V
Gyrt. Infineon Technologies Americas Corp.	Ugs(th) (Max) / Id 3,2V / 87µA
Sorozat OptiMOS™ 7	Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs 78 nC @ 10 V
Csomagolás Szalag tekercsen (TR) Vágott szalag (CT) Digi-Reel®	Ugs (Max) ±20V
Alkatrész státusza Aktív	Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds 5633 pF @ 40 V
FET típusa N csatornás	Teljesítményveszteség (max.) 3W (Ta), 188W (Ta)
Technológia MOSFET (fémoxid)	Üzemi hőmérséklet -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-source feszültség (Udss) 80 V	Rögzítés módja Felületszerelt
Drain áram (Id) 25°C-on 26A (Ta), 209A (Tc)	Gyártói tokozás PG-TDSON-8-43
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On) 7V, 10V	Tokozás 8-TDFN