Nexperia

Cascode GaN FETs

Nexperia GaN FETs offer performance, efficiency, and reliability of power systems

Image of Nexperia’s Cascode GaN FETsNexperia cascode GaN FETs offer high power density, performance, and switching frequency. The very high electron mobility of GaN enables the creation of devices with low on-resistance and exceptionally high switching frequency capability, which are vital in next-generation power systems, such as Industry 4.0 and renewable energy applications. The unique cascode GaN FET solution facilitates easy driving of devices using well-known Si MOSFET gate drivers. They deliver unmatched high junction temperature [Tj (max) = +175°C], design freedom, and improved reliability of power systems.

Cascode GaN FETs

KépGyártói cikkszámLeírásAvailable QuantityÁrRészletek megtekintése
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247199 - Immediate$4,455.23Részletek megtekintése
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$3,667.32Részletek megtekintése
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immediate$4,525.70Részletek megtekintése
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247314 - Immediate$3,552.02Részletek megtekintése
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NTBZ650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (0 - Immediate$3,811.45Részletek megtekintése
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS611 - Immediate$4,525.70Részletek megtekintése
Published: 2024-09-04

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publish Date: 2025-04-14

Related Product Highlight

GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

A széles tiltott sávú félvezetők javítják az adatközpontok hatásfokát Mivel az adatközpontoknak hatalmas az energiaigényük, olyan áramellátási megoldásokra van szükség, amelyek képesek csökkenteni az energiaveszteségeket, növelni a hatásfokot, és javítani a hűtést.
A széles tiltott sávú félvezetők átalakítják a közlekedés világát A hibrid és villanyautókra és a tisztább tömegközlekedésre irányuló megoldásoknak köszönhetően a teljes közlekedési ágazat gyökeres átalakuláson megy keresztül.
GaN FET-ek használata jó hatásfokú, magasabb feszültségű kapcsolóüzemű tápegységekben A GaN FET-ek működési elvének és helyes használatának megértésével javíthatja a nagyobb feszültségű kapcsolóüzemű tápegységek hatásfokát és fajlagos teljesítményét (más néven teljesítménysűrűségét).