FET-ek, MOSFET-ek

találatból : 2
Készletállapot
Környezetvédelem
Média
Kizárás
2találatból
Keresett típus/kifejezés
Megjelenítve:
, összesen: 2
Gyártói cikkszám
ELÉRHETŐ MENNYISÉG
Ár
Sorozat
Csomagolás
Termékállapot
FET típusa
Technológia
Drain-source feszültség (Udss)
Drain áram (Id) 25°C-on
Meghajtó feszültség (max. Rds On, min. Rds On)
Rds On (max.) / Id, Ugs
Ugs(th) (Max) / Id
Kapu töltés (Qg) (max.) / Ugs
Ugs (Max)
Bemenő kapacitás (Ciss) (max.) / Uds
FET jellegzetessége
Teljesítményveszteség (max.)
Üzemi hőmérséklet
Típusjelölés
Minősítés
Rögzítés módja
Gyártói tokozás
Tokozás
PG-TO263-7
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
3 098
Raktáron
1 : 6,24000 $
Vágott szalag (CT)
1 000 : 2,46100 $
Szalag tekercsen (TR)
Szalag tekercsen (TR)
Vágott szalag (CT)
Digi-Reel®
Aktív
N csatornás
MOSFET (fémoxid)
100 V
180A (Tc)
6V, 10V
1,7mohm / 100A, 10V
3,8V / 279µA
210 nC @ 10 V
±20V
15600 pF @ 50 V
-
375W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Felületszerelt
PG-TO263-7
TO-263-7, D2PAK (6 kivezetés + fül)
PG-TO263-7
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
4 502
Raktáron
1 : 6,85000 $
Vágott szalag (CT)
1 000 : 2,78912 $
Szalag tekercsen (TR)
Szalag tekercsen (TR)
Vágott szalag (CT)
Digi-Reel®
Aktív
N csatornás
MOSFET (fémoxid)
100 V
180A (Tc)
10V
1,7mohm / 100A, 10V
4,1V / 270µA
195 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 50 V
-
313W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Felületszerelt
PG-TO263-7
TO-263-7, D2PAK (6 kivezetés + fül)
Megjelenítve:
, összesen: 2

Egyszerű FET, MOSFET

Az egyszerű térvezérelt tranzisztorok (FET, Field-Effect Transistor) és a fém-oxid záróréteges térvezérelt tranzisztorok (MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) az elektronikus jelek erősítésére, illetve kapcsolására használt tranzisztortípusok.

Az egyszerű FET úgy működik, hogy a villanyáramnak a forrás (source, S) és a nyelő (drain, D) elektróda közötti folyását a kapu (gate, G) elektródára adott feszültség által létrehozott elektromos tér révén szabályozza. A FET-ek fő előnye a nagy bemeneti impedanciájuk, ami a jelerősítésben és az analóg áramkörökben való használatra ideális. Széles körben használják őket olyan felhasználási területeken, mint az erősítők és az oszcillátorok, valamint az elektronikus áramkörök pufferfokozatai.

A MOSFET a FET-ek altípusa, a kapu elektródát egy vékony oxidréteg szigeteli el a csatornától, ami növeli a MOSFET-ek teljesítményét, és kiváló hatásfokúvá teszi őket. A MOSFET-ek két altípusba sorolhatók:

A MOSFET-eket számos felhasználási területen előnyben részesítik kis fogyasztásuk, gyors kapcsolásuk és nagy áramok és feszültségek kezelésére való képességük miatt. Alapvető fontosságúak a digitális és analóg áramkörökben, beleértve a tápegységeket, a villanymotor-vezérlőket és a rádiófrekvenciás készülékeket.

A MOSFET-ek kétféle üzemmódúak lehetnek:

  • Növekményes üzemmód: ebben az üzemmódban a MOSFET alaphelyzetben zárva van, amikor a kapu–forrás feszültség nulla. A nyitáshoz pozitív (n csatornás MOSFET) vagy negatív (p csatornás MOSFET) kapu–forrás feszültségre van szükség.
  • Kiürítéses üzemmód: ebben az üzemmódban a MOSFET alaphelyzetben nyitva van, amikor a kapu–forrás feszültség nulla. A kiürítéses MOSFET ellentétes polaritású kapu–forrás feszültséget ráadva zárható le.

A MOSFET-ek számos előnyt kínálnak, például az alábbiakat:

  1. Jó hatásfok: nagyon kicsi a fogyasztásuk, és gyorsan képesek állapotot váltani, így rendkívül jó hatásfokúak a feszültségszabályozó eszközökben.
  2. Kis nyitóirányú ellenállás: nyitott állapotban kicsi az ellenállásuk, ami minimálisra csökkenti a veszteséget és a hőtermelést.
  3. Nagy bemeneti impedancia: az, hogy a kialakításnál fogva a kapu szigetelve van, rendkívül nagy bemeneti impedanciát eredményez, így a MOSFET-ek ideálisak a nagy impedanciájú jelerősítéshez.

Összefoglalva: az egyszerű FET-ek és még inkább a MOSFET-ek a korszerű elektronikában nélkülözhetetlen alkatrészek, amelyek hatásfokukról, kapcsolási sebességükről és sokoldalúságukról ismertek, és számtalan felhasználási területen használják őket a kis energiájú jelek erősítésétől a nagy energiájú jelek kapcsolásán át a vezérlésig.